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Si4465ADY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T j = 150 °C
0.05
0.04
10
0.03
T j = 25 °C
0.02
1
125 °C
0.01
25 °C
0
0.00
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
0.4
V SD – So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS – Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
8 0
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
60
40
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J – Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
I DM Limited
Limited b y R DS(on) *
10
10 ms
100 ms
1
1s
10 s
DC
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS Limited
www.vishay.com
4
0.1
1
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operatin Area
10
Document Number: 73856
S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09
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